这些年整个集成电路职业都陷入了瓶颈，处理器工艺制程难以精进，摩尔定律好像现已走向了衰败，半导体职业一向想要找出能够代替硅（Si）的半导体资料，但尝试了各种后发现仍是硅（Si）好赚钱。
尽管硅（Si）在集成电路芯片制造上现在无法被代替，但经过了这么多年的开展，每一个老练的半导体资料自己都能够带动一个职业的开展，那么现在职业里有哪些半导体资料呢？
业界将半导体资料来过分类，前面说到的硅（Si）和锗(Ge)是第一代半导体资料。
硅（Si）：前面说到的硅（Si）是现在运用最广泛的半导体资料，集成电路根本都是由硅（Si）制造。硅（Si）被咱们广为熟知是因为它是CPU的资料，英特尔和AMD的处理器都是依据硅（Si）所打造的，当然除了CPU，GPU芯、存储闪存也都是硅（Si）的全国。
锗（Ge）：锗（Ge）是前期晶体管的资料，能够说正是硅（Si）呈现之后锗（Ge）才走向了衰败，不过也仅仅锗（Ge）并没有被硅（Si）彻底代替，作为重要的半导体资料之一，锗（Ge）仍旧活泼在一些光纤、太阳能电池等通道范畴。
第一代半导体资料的不管是技能开发仍是仍是本钱掌握都最为老练，所以即便后边的第二、第三代半导体资料在某些特性体现方面彻底逾越了硅（Si），却也没有很好的办法商用代替硅（Si）的价值，无法带来硅（Si）这样的高收益才是要害。
第二代半导体资料与第一代半导体有实质的不同，第一代半导体的硅（Si）和锗（Ge）归于单质半导体，也便是由单一物质构成。而第二代归于化合物半导体资料，由两种或两种以上元素组成而来，而且具有半导体特性，第二代半导体常见的是砷化镓（GaAs）和磷化铟 (InP)。
砷化镓（GaAs）：砷化镓（GaAs）是第二代半导体资料的标志性产品之一，咱们咱们常常传闻的的LED发光二极管，就有砷化镓（GaAs）参加。
磷化铟 (InP)：磷化铟 (InP)由金属铟和赤磷在石英管中加热反响制造，特点是耐高温、高频率和高速率，因此在通讯职业被大范围的运用，用于制造通讯器材。
第二代半导体能够说是4G年代的基盘，许多4G设备运用的资料都是依据第二代半导体资料打造。
第三代半导体相同归于化合物半导体资料，特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等，代表产品是，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
碳化硅（SiC）：碳化硅（SiC）的特性有耐高温、耐高压，很合适是做功率器材开关，如许多主板上高端MOSFET便是由碳化硅（SiC）制造的。
氮化镓（GaN）：氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）相同都是高禁带宽度半导体，特性是能耗低、合适高频率，合适打造5G基站，仅有的缺陷便是技能本钱过高，很难在商用范畴看到。
现在国内比较盛行推行第三代半导体的开展，原因是国内外起点距离小，还有竞赛的时机。
尽管这些半导体资料被以为区分到为第一代、第二代，听起来也像是迭代的产品，但其实这些第一代、第二代、第三代半导体资料并不是代替联系，它们的特性不同，运用的场景也不相同，一二三代仅仅职业一种区别标识，仅仅依据资料来了区分，有些场景化甚至会一起运用在一起。