发烧友网报道（文/周凯扬）对于任何先进晶圆厂来说，逐渐放缓的制造工艺进步慢慢的开始对其业务造成部分影响。即便是头部客户，也会追求相对成熟的工艺来减少设计和制造成本。为了不让
为了进一步发挥其先进封装技术优势，三星于去年年底在其半导体业务部门内成立了先进封装（AVP）业务团队。作为一家同时具备内存、逻辑代工和封装业务的厂商，三星在异构集成上已经有了多年的经验，尤其是逻辑与内存的异构集成。
以绝大多数服务器芯片面临的带宽问题为例，三星针对不一样的带宽需求，提供了完备的解决方案。比如针对需要1TB/s的超大带宽场景，三星提供了逻辑电路垂直堆叠的架构。而针对需要超大内存带宽的场景，比如196GB/s到1TB/s的带宽范围内，三星则提供了逻辑电路与HBM堆叠至硅中介层上的方案，I-CubeS。
且根据HBM die的配置分布，三星已经推出了I-Cube2、I-Cube4、I-Cube8三大方案，更复杂的I-Cube12也已经在研发过程中，预计明年第四季度成功验证，2025年实现量产。这也是慢慢的变多服务器、AI芯片所选的方案，I-Cube与HBM3的搭配提供了相对GDDR6更高的容量和带宽。
除此之外，三星也在研究HBM与逻辑电路直接垂直堆叠的方案，这类HBM无需缓存die，而是将缓存die集成到逻辑die中，进一步提升能效降低延迟。有趣的是，最近韩媒也爆出消息，SK海力士将与英伟达联合研究GPU直接堆叠HBM4的设计，不过其最终封装可能会由台积电来接手。
针对60-196GB/s内存带宽区间的应用，比如头戴AR/VR等设备，三星的计划是进一步提升其能效和降低延迟。为此，三星正在进行LLWDRAM这一低延迟宽IO产品的研发，用于替代传统的LPDDR内存。其异构集成结构是将逻辑电路和LLW内存垂直堆叠在重布线层（RDL）上，根据三星给出的数据，相比传统的FBGA封装LPDDR内存，其I/O数、带宽都将成倍增长，而相比硅中介层的方案又能节约20%的封装成本。
至于全3D的逻辑异构集成方案X-Cube，则是通过微凸块或更先进的铜键合技术，将两块垂直堆叠的逻辑裸片连接起来。其实早在HBM的垂直堆叠上，三星就已经用上了微凸块连接技术，且自2016年就实现了大规模量产。
然而面对更复杂的逻辑die垂直堆叠，则需要对其设计进一步改善，从而避免电源完整性、信号完整性以及热设计上带来的新问题。所以三星也在研究相关的集成硅电容、散热增强设计等，来解决这些异构集成实现过程中的顽疾。
三星代工业务的发展负责人Moonsoo Kang表示，他们预计将在明年开始量产微凸块类型的X-Cube产品，而2026年才会开始量产铜键合的X-Cube产品。能够准确的看出，在台积电和英特尔厂商都已规划好下一代先进封装路线图的前提下，三星也在加快步伐推进新技术的落地，这样才可以给其半导体业务带来更多的竞争优势。
与依然在缓步推进的逻辑工艺不同，异构集成这类先进封装技术最终是起到降低设计成本，提高芯片设计效率并优化PPA的目的，更像是对摩尔定律的一个横向扩展。而作为晶圆厂，在钻研这类技术的同时，也必须与EDA、Chiplet、PCB等领域的厂商达成深入合作，才有机会把这类业务推向更多的芯片设计公司。
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