因为固态体系环境杂乱，量子比特的超快控制与长相干往往不行兼得。为了更好的进步半导体量子芯片杂化量子比特的可控性，郭国平研讨组将非对称思维运用到研讨中，把原有的双量子点结构扩展成线性耦合三量子点体系。他们经过理论核算剖析发现，傍边间量子点与其两边量子点耦合强度非对称时，电子在双量子点中演化的能级结构能够被第三个量子点高效地“直接”调控。
在试验中，他们第一步经过半导体纳米加工工艺准确制备出非对称耦合三量子点结构，再利用电子的原子壳层结构填充原理，奇妙地化解多电子能级结构杂乱性这一难题，结构了具有准平行能级的杂化量子比特。在确保比特相干时刻的情况下，经过调理第三个量子点的电极电压，明晰地观察到比特能级在2～15吉赫范围内接连可调。
该效果宣布在最新一期世界使用物理学尖端期刊《使用物理谈论》上，为半导体量子核算供给了一种新的调控思路。 （记者 李想）