金融界2024年10月24日音讯，国家知识产权局信息数据显现，天水天光半导体有限责任公司请求一项名为“集成电路金属层光刻工艺的优化办法和设备”的专利，揭露号 CN 118800645 A，请求日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显现，本请求揭露一种集成电路金属层光刻工艺的优化办法和设备，归于半导体工艺技术领域，该办法经过集成电路金属层光刻工艺的进程参数集和制品良率的历史数据练习制品良率猜测模型，核算每个进程参数对制品良率的榜首影响程度以辨认对制品良率具有十分显着榜首影响程度的至少一个要害进程参数，核算要害进程参数的候选调理项组合对制品良率的第二影响程度，以挑选最优的候选调理项组合对集成电路金属层光刻工艺来优化。本请求可以更好的下降集成电路金属层光刻工艺进程中金属层导线断条、部分残存铝点等不良问题，进步集成电路芯片金属层的制品良率。