随着当代技术水平的不断的提高以及各种新型材料的研发，我国在集成电路方面的芯片集成度不断的提高，主要体现为其特征尺寸不断缩小，同时还能实现多种功能的兼容。尺寸的不断缩小打破了元器件的物理极限，各种新型集成电路技术获得了有效研发和应用，而且正在不断朝着纳米级别方向发展。
另外由于集成电路技术及其设计水平的逐步的提升，使得集成电路的应用场景范围更广，能够兼容更多的技术，无形之中也提高了整个集成电路的存储量，数据处理能力和传输速率都有某些特定的程度的提升。
目前很常见的集成电路主要是以Si/CMOS为应用研发对象，但随着需求的不断的提高，各种新型材料及元器件不断被研发和应用。比如现阶段研发的绝缘体元器件SOI，Ge/Si异质结和应变Si器件及铁电随机存取存储器（FeRAM）等。由于SOI具备无门锁、高速、低耗、抗辐射等比较优异的性能，使其在民用和国防领域都有较广泛的应用，同时也是高性能电路研发的主要应用手段之一。Ge/Si异质结器件因为具备高速传输性，使其在射频领域有着较高的性价比。FeRAM由于其处理速度快、低功耗、非挥发、长寿命、耐辐射等特点使其被广泛应用。
近年来，集成电路的持续不断的发展，和别的行业不断结合并产生紧密的联系，打破了原有保守的产业体系类型，推动了集成电路的多方面发展。新的技术层出不穷，不断为行业注入新的活力。
更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国集成电路行业未来市场发展的潜力及投资机会研究报告》，同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、产业研究报告、产业规划、园区规划、十四五规划、产业招商引资等服务。