金融界 2024 年 9 月 11 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，日月新半导体（昆山）有限公司请求一项名为“一种集成电路使用磊晶原理构成混晶层的办法“，公开号 CN8.4，请求日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显现，本发明公开了混晶层构成技术领域的一种集成电路使用磊晶原理构成混晶层的办法，包含如下过程：S1、晶粒聚结及暂停；S2、Au 薄膜添补；S3、TiW 层二次堆积；S4、共晶层构成；S5、电镀凸块。本发明经过在 TiW 层堆积过程中引进 Au 薄膜添补缝隙的过程，增加了 TiW 和 Au 之间的共晶层面积，然后显着提高了薄膜间的粘附力，因为共晶层的增强，Bump 的机械剪切强度得到提高，在 Shear 剪切力测验中表现出更好的功能，减少了 TiW 层漏出和 Bump 掉落的危险，经过构成更安稳的共晶层，集成电路的全体可靠性得到十分显着提高，保证了在实际使用中的耐用性和安稳才能，改善后的混晶层构成办法可以提高集成电路的功能，尤其是在需求高可靠性和机械强度的使用场景中。